Напряжение стабилизации мин.: 1,8 В
Ток стабилизации макс.: 0,5 мА
Мощность рассеяния: 0,1 Вт
Сопротивление статическое: 8000000 Ом
Коэффициент напряжения стабилизации температурный: 0,3
Номинальное напряжение стабилизации: 62 В
Рабочая температура -60…70 °С
Наличие экрана стабилизации макс.: 120 В
Напряжение постоянное прямое: 1,1/1 В/А
Ток обратный: 45/1,5 мА/мА
Частота максимальная рабочая: 20 кГц
Напряжение постоянное прямое: не более 1,4 В
Ток постоянный обратный: не более 50 мкА
Максимальное напряжение постоянное обратное: 400 В
Максимальный ток прямой: 300 мА
Частота рабочая: 1 кГц
Время обратного восстановления: 1,5 мкс
Напряжение постоянное прямое: 1,5/3 В/А
Ток максимальный импульсный прямой: 60 А
Время обратного восстановления: 500 нс
Напряжение постоянное прямое: не более 0,6 В
Ток постоянный обратный: не более 20 мА
Максимальное напряжение импульсное обратное: 20 В
Максимальный ток прямой: 30 А
Частота рабочая: 10-200 кГц
Напряжение постоянное прямое: не более 1 В
Ток постоянный обратный: не более 50 мкА
Максимальное напряжение импульсное обратное: 1000 В
Максимальный ток прямой: 100 мА
Частота рабочая макс.: 1 кГц
Напряжение постоянное прямое: не более 1,2 В
Ток постоянный обратный: не более 1 мкА
Максимальное напряжение постоянное обратное: 40 В
Максимальный ток обратный: 200 мА
Емкость общая: 6 пФ
Время обратного восстановления: 10 нс
Напряжение постоянное прямое при заданном прямом токе: 1/1 В/А
Ток обратный для температуры +25°C и максимальной рабочей температуры: 50/2 мкА/мА
Максимальное напряжение импульсное обратное: 100 В
Частота максимальная рабочая: 100 кГц
Емкость общая и напряжение, при котором она измеряется: 45/100 пФ/В
Максимальный прямой ток импульсный: 50 А
Напряжение мгновенное обратное: 175 В
Ток постоянный прямой: 100 мА
Частота критическая: 150…350 ГГц
Емкость корпуса: 0,3…0,45 пФ
Индуктивность диода: 0,5 нГн
Мощность импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт
Сопротивление потерь прямое: не более 1,5 Ом
Заряд накопленный: не более 25 нКл
Температура окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка 25000 ч
Срок службы 25 лет
Напряжение постоянное прямое: не более 1,2 В
Ток постоянный обратный: не более 100 мкА
Максимальное напряжение постоянное обратное: 100 В
Максимальный токпрямой: 1 А
Частота рабочая: 100 кГц
Емкость общая: 45 пФ
Время обратного восстановления: 0,5 мкс
Напряжение постоянное обратное: 150 В
Ток постоянный прямой: 150 мА
Частота критическая: >300 ГГц
Емкость 0,12…0,2 пФ
Мощность импульсная рассеиваемая: 5 кВт
Сопротивление потерь: <1,5 Ом
Заряд накопленный: <200 нКл
Температура окружающей среды при эксплуатации -60…+125 °С
Напряжение постоянное обратное: 1-5 В
Ток выпрямленный: 0,5-2,7 мА
Частота до 180 ГГц
Емкость общая: 0,08-0,1 пФ
Индуктивность не более 0,1 нГн
Мощность импульсная падающая: 25 мВт
Сопротивление выходное: 100-700 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 3
Минимальная наработка 25000 ч
Температура окружающей среды при эксплуатации -60-+85°С
Срок сохраняемости 25 лет
Емкость общая: 0,14…0,35 пФ
Рабочая частота 10,0 ГГц
Индуктивность 1,2…1,8 нГн
Мощность импульсная рассеиваемая: 100 мВт
Сопротивление дифференциальное: 2000 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению: <3,0
Чувствительность по току: >3,5 А/Вт
Рабочая температура -60…+125 °С
Напряжение постоянное обратное: 150 В
Ток постоянный прямой: 150 мА
Частота критическая: >300 ГГц
Емкость 0,12…0,2 пФ
Мощность импульсная рассеиваемая: 5 кВт
Сопротивление потерь: <1,5 Ом
Заряд накопленный: <300 нКл
Температура окружающей среды при эксплуатации -60…+125 °С
